Essai d'Écriture dans la Mémoire et Effacement de la Mémoire HM 6116 P-4 :
6. - QUATRIÈME EXPÉRIENCE : ESSAI D'ÉCRITURE DANS LA MÉMOIRE
Avec cette manipulation, vous allez
apprendre comment on procède pour écrire dans la mémoire. Cela est possible
parce que la mémoire dont nous disposons et du type à
lecture / écriture. Il y a par contre, des mémoires appelées ROM,
dans lesquelles il n'est pas possible d'écrire mais
seulement de lire.
Il existe cependant un problème :
ce sont les mêmes bornes qui permettent la lecture et écriture. Il est donc nécessaire
d'ajouter au montage, comme nous allons le voir, le buffer bidirectionnel TRI-STATE
qui a été examiné dans la première expérience de cette même pratique 12,
de manière que seuls les circuits choisis restent en relation.
6. 1. - RÉALISATION DU MONTAGE
a) Laissez inchangé le
montage. Insérez sur la matrice le circuit intégré 74LS245
(buffer bidirectionnel TRI-STATE) dans la
position indiquée à la figure 33.
b) Effectuez sur la matrice
les liaisons illustrées figure 33 sans enlever celles
déjà existantes.
A la figure 34 et à la figure 35
sont représentés respectivement le schéma électrique et le schéma
synoptique du circuit réalisé.
On a ajouté un buffer pour sa
caractéristique de TRI-STATE. Ainsi, l'entrée
des données reste séparée de la sortie comme vous le verrez au cours de l'expérience.
6. 2. - ESSAI DE FONCTIONNEMENT
a) Mettez SW0
sur la position 1 (lecture).
b) Mettez SW1
sur la position 0 ; de
cette façon, la sortie de la mémoire est validée (au moyen de )
et le buffer est inhibé. Les sorties de ce dernier sont donc isolées car elles
se trouvent à l'état "haute impédance".
c) Mettez SW2
sur la position 0 ; la mémoire est ainsi
validée.
d) Allumez le Digilab.
e) Par la méthode décrite
dans l'expérience précédente, lisez quelques-unes des positions mémoires.
Une fois encore, vous trouvez des valeurs aléatoires.
f) Mettez maintenant
SW1
sur la position 1; ainsi, la sortie
de la mémoire est inhibé et le buffer validé : les LED
sont toutes éteintes.
En effet, le buffer est positionné
pour transmettre de A vers
B
et toutes les entrées A sont reliées à la
masse.
Les mêmes données allant aux
LED
se présentent aux bornes I / O1 à
I
/ O8 de la mémoire comme données d'entrée.
g) Positionnez la mémoire à
l'adresse zéro au moyen de la méthode adoptée dans la troisième expérience :
les deux points décimaux DP1 et
DP0
doivent être éteints, DIS0 et
DIS1
indiquent 00.
h) Mettez SW0
sur la position 0 correspondant à l'écriture.
i) Remettez
SW0
sur la position 1 : de cette façon,
l'entrée
passe de l'état 1 à l'état
0
puis de nouveau à l'état 1. Vous venez
ainsi effectué un cycle d'écriture.
Dans la position indiquée par
l'adresse (dans notre cas, position 0000)
s'inscrit la donnée présente sur les entrées c'est-à-dire 0016.
j) Maintenant, faites avancer
d'une unité le compteur d'adresse (horloge sur la fréquence 1
Hz), en appuyant sur le bouton
P0.
L'indication des afficheurs est la suivante :
Elle correspond à l'adresse
0001.
Supposons qu'à cette adresse on désire
écrire la valeur hexadécimale 01. Il est nécessaire
de la composer à l'entrée du buffer, en procédant comme suit :
k) Sans éteindre
l'alimentation, déplacez la liaison qui va de la broche
2 du buffer (correspondant à
A1)
à la masse, en la raccordant à la tension positive
au lieu de la masse ;la LED L0
s'allume.
l) Effectuez ensuite un cycle
d'écriture, en mettant SW0
sur la position 0
puis à nouveau sur la position 1.
m) Écrivez à l'adresse
0002
la valeur décimale 02 qui s'écrit en code
binaire 10. Pour cela, reliez la
broche
2 du buffer de nouveau
à la masse
et la broche 3 (A2)
à la tension positive:la
LED L1 s'allume. Effectuez ensuite un cycle d'écriture.
Nous avons maintenant écrit aux
trois premières adresses de la mémoire (figure 36). Vérifiez que les données
ont effectivement bien été enregistrées, en effectuant un cycle de lecture
comme indiqué ci-après.
n) Mettez l'adresse à
0000
et mettez SW1 sur la position
0, de manière à déconnecter le buffer et à valider la sortie de
la mémoire ; on peut lire sur les LED
la valeur contenue dans la première position de mémoire. Puisque nous avons écrit
00, toutes les
LED
sont donc éteintes.
o) Lisez maintenant la valeur
contenue dans la seconde position. Pour réaliser cela, il suffit d'incrémenter
l'adresse de 1 : on obtient
0001; vous devez alors lire la valeur 01.
p) Examinez ensuite la
position suivante : vous devez lire la valeur 02
(10 en code binaire).
q) En observant la procédure
décrite, exercez-vous à écrire et à lire des données en mémoire, en vous
rappelant qu'il ne faut pas éteindre l'alimentation pendant ces opérations,
pour ne pas effacer les données déjà écrites.
r) A la fin des essais, éteignez
le Digilab.
Résumons la procédure
permettant d'écrire dans la mémoire:
On sélectionne l'adresse.
On positionne la donnée sur
l'entrée du buffer.
On inhibe la sortie des données
en mettant SW1
sur la position 1.
On met SW0
sur la position 1.
On valide l'ensemble de la mémoire
en basculant SW2
sur la position 0.
On effectue un cycle avec
SW0
en le mettant sur la position 0 puis à
nouveau sur la position 1.
Dans la figure 37 sont schématisées
les opérations d'écriture et de lecture.
7. - CINQUIÈME EXPÉRIENCE : EFFACEMENT
DE LA MÉMOIRE
Comme vous l'avez constaté, à la
mise sous tension, la mémoire renferme des données aléatoires. Il peut s'avérer
utile pour certaines applications de remettre toutes les positions mémoires à
zéro. Cette opération est appelée effacement
de la mémoire ou remise à zéro.
On pourrait procéder comme dans la
quatrième expérience en écrivant la donnée 00
à chaque adresse avec un seul cycle d'écriture.
Cependant, bien que cette mémoire
n'est pas d'entrée synchrone (
valide sur un niveau et non sur un front), nous considérerons que lecture et écriture
sont validées sur un front afin d'employer une méthode générale qui nous
sera utile plus tard. C'est cette méthode automatique qui sera décrite au
cours de cette expérience.
7. 1. - RÉALISATION DU CIRCUIT
Gardez toutes les
liaisons effectuées dans le montage précédent.
Supprimez seulement la liaison qui
relie SW0 à la
broche 21 de la mémoire et reliez cette dernière à la
broche
10 du compteur CD4040.
Assurez-vous ensuite que toutes les
entrées du buffer soient reliées à la masse.
La figure 38 montre la nouvelle
liaison et la figure 39 le schéma électrique résultant.
Le signal d'horloge qui incrémente
le compteur va de cette façon commander la lecture / écriture à travers .
7. 2. - ESSAI DE FONCTIONNEMENT
a) Mettez
SW1
sur la position 1 : de cette façon,
on inhibe la sortie de la mémoire. Le buffer est validé.
b) Mettez
SW2
sur la position 0: la mémoire est
ainsi validé.
c) Allumez le Digilab :
les LED sont toutes éteintes parce que la
donnée présente à l'entrée du buffer est à 00.
Les afficheurs indiquent une adresse quelconque.
d) Appuyez sur
P0 et maintenez-le enfoncé : l'adresse s'incrémente et, dans
le même temps, dans la position mémoire correspondante est écrite
l'information 00.
e) Lorsque le compteur aura
accompli un cycle et sera revenu à l'adresse de départ, relâchez P0; toute la mémoire à été remise à zéro.
f) Vérifiez qu'effectivement
la mémoire contient 00 à chaque position,
en lisant le contenu de la manière suivante :
Sans éteindre l'alimentation, débranchez de la broche
10 du compteur CD4040 la liaison
avec la broche 21 de la mémoire et, reliez
celle-ci de nouveau à SW0.
Mettez SW0 sur la position
1,
vous autorisez ainsi la lecture de la mémoire.
Mettez SW1 sur la position
0,
vous validez ainsi la sortie des données de la mémoire.
Observez les LED; elles sont toutes
éteintes.
En appuyant sur P0, faites défiler les
adresses et assurez-vous que les LED restent
éteintes : ceci sera la confirmation que la mémoire ne contient plus
que des zéros, donc a bien été effacée.
g) A la fin de l'essai, éteignez
le Digilab.
En résumé, on a pu remettre à zéro
la mémoire, en utilisant le signal d'horloge provenant du contact CP1.
Vous pouvez remarquer que le compteur s'incrémente sur le front descendant du
signal rectangulaire alors que pendant le même temps, la mémoire enregistre la
donnée sur le front montant comme on le voit à la figure 40.
Effacement de la Mémoire
)
et le buffer est inhibé. Les sorties de ce dernier sont donc isolées car elles
se trouvent à l'état "haute impédance".
passe de l'état 1 à l'état
0
puis de nouveau à l'état 1. Vous venez
ainsi effectué un cycle d'écriture.
Sans éteindre l'alimentation, débranchez de la broche
10 du compteur CD4040 la liaison
avec la broche 21 de la mémoire et, reliez
celle-ci de nouveau à SW0.
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